中国有色金属产品质量监督检验中心纯度鉴定,宿迁高纯氧化铝杂质分析纯度鉴定机构

通过电解冶炼过程得到的普通铝锭的纯度一般在99%以上，普通的铝锭再经过偏析法、三层电解法或联合区域熔炼法可制得高纯铝锭，然后再对高纯铝锭进行锻造、轧制、热处理等，使铝锭内晶粒变细小、致密度增加以满足溅射所需铝靶材的要求。变形处理完成后，再焊接底板，然后对坯料进行机械加工，后对靶材进行表面清洁处理等。铜、钛和钽等靶材的制造工艺除在具体的熔炼方法和加工工艺参数有不同之外，工艺过程基本相同，粉末冶金铸造法是溅射靶材的另一种重要制造工艺，对于钨钛靶这类由两种熔点差别较大的金属组成的合金靶材则会选择粉末烧结工艺，粉末冶金工艺一般选用高纯、超细粉末作为原料。

如烧结气氛、烧结压力等，从而制备成高密度的靶坯，l塑性加工：金属坯锭需经过大幅度的塑性变形。以获得足够的长宽厚度尺寸，并使得内部晶粒进行足够的拉伸变形。从而在内部产生足够多的位错，l热处理：金属坯锭在经过大幅度的塑性变形后。根据不同的材料的特性选择热处理工艺，从而使金属材料发生重结晶去除内应力，l超声探伤：靶坯加工完后需要采用波进行检查材料内部是否有缺陷。靶坯与背板绑定完成后，需要采用水浸式超声波扫描仪进行粘结层的检测，看粘结面积是否达标。l机械加工：靶坯需要进行精密的机械成型加工，用于与靶坯复合使用的背板。

电导率高。薄膜的一致性好，与基板的附着力强等优点l，但是靶材制作困难，这是因为氧化铟和氧化锡不容易烧结在一起，一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材，这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加剂的关系。日本的科学家采用Bizo作为添加剂，Bi2O3在820Cr熔化，在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ITO靶材，而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序，采川这样的靶材得到的ITO薄膜的屯阻率达到8．1×10n-cm。

陶瓷靶材，ITO靶、氧化镁靶、氧化铁靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化钛靶、氧化铬靶、氧化锌靶、硫化锌靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化铈靶、二氧化锆靶、五氧化二铌靶、二氧化钛靶、二氧化锆靶，、二氧化铪靶，二硼化钛靶，二硼化锆靶。三氧化钨靶，三氧化二铝靶五氧化二钽。五氧化二铌靶、氟化镁靶、氟化钇靶、硒化锌靶、氮化铝靶。氮化硅靶，氮化硼靶。氮化钛靶，碳化硅靶。铌酸锂靶、钛酸镨靶、钛酸钡靶、钛酸镧靶、氧化镍靶、溅射靶材等，合金靶材。铁钴靶FeCo、铝硅靶AlSi、钛硅靶TiSi、铬硅靶CrSi、锌铝靶ZnAl、钛锌靶材TiZn、钛铝靶TiAl、钛锆靶TiZr、钛硅靶TiSi、钛镍靶TiNi、镍铬靶NiCr、镍铝靶NiAl、镍钒靶NiV、镍铁靶NiFe等。

高纯碲是化学式为Te，熔点为450℃的单质，性质：纯度在99999%以上的碲，有5N。6N和7N三种规格，灰白色金属光泽的结晶，六方晶格。密度624g/cm3，熔点450℃，沸点989℃。室温下不与氧起作用，加热时能与氢作用生成碲化氢，其显著的性质是用它制成的二元、三元、四元合金具有很好的光电性能及温差电转换性能，以95%～99%纯度的工业碲为原料，采用碱性(或酸性)溶液电解或区域熔炼相结合的方法制取。用于太阳能电池、发光二极管、辐射探测器制造。为半导体掺杂剂，碲(tellurium)是一种准金属，元素符号为Te。

钼舟，钨舟坩埚：Al2O3在10-4Torr蒸发温度：170℃薄膜的机械和化学性质：有毒，损害真空系统；中文名称：硒。英文名称：Selenium，元素符号Se，元素周期表中原子序数34，VIA族非金属元素。密度为4809g/cm3，熔点221℃，沸点685℃，硒是一种有灰色单质金属光泽的固体。性脆，有毒。能导电，且其导电性随光照强度急剧变化，硒是人体必需的微量矿物质营养素，但摄入过量又会对人体产生危害，硒在地壳中的含量仅为005ppm。且分布分散。年供应量有限。硒的用途非常广泛，涉及电子、玻璃、冶金、化工、医疗保健、农业等领域硒粒。