中国有色金属产品质量监督检验中心成分分析,六盘水高纯碲杂质分析成分检测中心

具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层复合膜结构，TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58。而TbFeCofFa则可以接近08。经过研究发现。低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度，基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)显示出显著的商业化潜力,是NOR型闪存和部分DRAM市场的一项替代性存储器技术。不过,在实现更快速地按比例缩小的道路上存在的挑战之一,便是缺乏能够生产可进一步调低复位电流的完全密闭单元，降低复位电流可降低存储器的耗电量,延长电池寿命和提高数据带宽,这对于当前以数据为中心的、高度便携式的消费设备来说都是很重要的特征。

接近纯的ITO薄膜的电阻率，FPD和导电玻璃的尺寸都相当火，导电玻璃的宽度甚至可以达到3133_，为了提高靶材的利用率，开发了不同形状的ITO靶材，如圆柱形等，2000年，国家发展员会、科学技术部在《当前发展的信息产业领域指南》中，ITO大型靶材也列入其中，存储用，在储存技术方面，高密度、大容量硬盘的发展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘需要的TbFeCo合金靶材还在进一步发展，用它制造的磁光盘具有存储容量大，寿命长。可反复无接触擦写的特点，如今开发出来的磁光盘。

光纤是光通讯科技与产业的基础，高纯四氯化锗是高品级石英系光纤不可缺少的关键原料。四氯化锗作为石英系光纤中的主要掺杂剂，其用途是提高光纤的折射指数，降低光损耗。进而提高光纤的传输距离，锗在光纤中的分布和含量决定了光纤的关键性能指标。所以其本身的质量直接影响光纤的性能和质量，四氯化锗可由氯化氢来提纯，这个过程可以去除砷和其他类似的杂质，在-30℃到30℃的温度范围内用无水氯气来提纯。但这个方法不能除去含氢杂质，在1000℃高温下四氯化锗中的氢原子被氯气氯化成氯化氢，从而去除含氢杂质。采用沸石来除去气体(包括四氯化锗气体)中的水分子。

铋为银白色至粉红色的金属。质脆易粉碎，铋的化学性质较稳定。铋在自然界中以游离金属和矿物的形式存在，以前铋被认为是相对原子质量大的稳定元素，但在2003年，发现了铋有极其微弱的放射性，同时测定了它的半衰期长达19×1019年，这意味着或许在人类灭亡之前，铋也不会发生可见的衰变。铋金属除了与铅、锡、镉、铟等金属组成低熔点合金以外，还有一些特殊的用途被人们广泛地运用于工业、医学、航空航天、核工业等领域。1、锗酸铋晶体(BGO)：锗酸铋晶体是新型闪烁晶体，多用于核辐射探测器、X射线层表面扫描仪(即CT)，2、铋系超导材料在法、日、美、中等国相继发现铋锶钙铜氧化物在液氮冷却下的高温超导性之后。

其名源自tellus。意为“土地”，1782年米勒·冯·赖兴施泰因(FJMüllervonReichenstein)发现，碲为斜方晶系银白色结晶。溶于硫酸、硝酸、王水、氰化钾、氢氧化钾；不溶于冷水和热水、二硫化碳，高纯碲以碲粉为原料，用多硫化钠抽提精制而得，纯度为99999%。供半导体器件、合金、化工原料及铸铁、橡胶、玻璃等工业作添加剂用。碲有两种同素异形体，即黑色粉末状、无定形碲和银白色、金属光泽、六方晶系的晶态碲半导体。禁带宽034电子伏，[4]。碲的两种同素异形体中，一种是晶体的碲，具有金属光泽，银白色。

高纯碲是化学式为Te，熔点为450℃的单质，性质：纯度在99999%以上的碲，有5N。6N和7N三种规格，灰白色金属光泽的结晶，六方晶格。密度624g/cm3，熔点450℃，沸点989℃。室温下不与氧起作用，加热时能与氢作用生成碲化氢，其显著的性质是用它制成的二元、三元、四元合金具有很好的光电性能及温差电转换性能，以95%～99%纯度的工业碲为原料，采用碱性(或酸性)溶液电解或区域熔炼相结合的方法制取。用于太阳能电池、发光二极管、辐射探测器制造。为半导体掺杂剂，碲(tellurium)是一种准金属，元素符号为Te。