关键词 |
材料分析,微观材料分析,扫描电镜测试,微观分析 |
面向地区 |
全国 |
服务内容
广电计量的DB-FIB均配备了纳米机械手，气体注入系统（GIS）和能谱EDX，能够满足各种基本和高阶的半导体失效分析需求。还将持续不断地投入电子显微分析设备，不断提升和扩充半导体失效分析相关能力，为客户提供细致且全面深入的失效分析解决方案。
服务范围
目前DB-FIB被广泛应用于陶瓷材料、高分子、金属材料、生物、半导体、地质学等领域的研究和相关产品检测。
检测标准
广电计量执行：国家标准（GB/T）、国家汽车行业标准（QC/T）、国际标准（ISO）、以及国内外各大汽车主机厂标准。
测试项目
1、截面加工
2、TEM样品成像分析
3、选择性刻蚀或增强刻蚀检验
4、金属材料沉积和绝缘层沉积测试
检测资质
CNAS、CMA
检测周期
常规5-7个工作日
服务背景
着半导体电子器件及集成电路技术的飞速发展，器件及电路结构越来越复杂，这对微电子芯片工艺诊断、失效分析、微纳加工的要求也越来越高。FIB双束扫描电镜所具备的强大的精细加工和微观分析功能，使其广泛应用于微电子设计和制造领域。
FIB双束扫描电镜是指同时具有聚焦离子束(FocusedIonBeam，FIB)和扫描电子显微镜(ScanningElectronMicroscope，SEM)功能的仪器。它可以实现SEM实时观测FIB微加工过程的功能，把电子束高空间分辨率和离子束精细加工的优势集于一身。其中，FIB是将液态金属离子源产生的离子束经过加速，再聚焦于样品表面产生二次电子信号形成电子像，或强电流离子束对样品表面刻蚀，进行微纳形貌加工，通常是结合物理溅射和化学气体反应，有选择性的刻蚀或者沉积金属和绝缘层。
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