中国有色金属产品质量监督检验中心成分分析,延安高纯碲杂质分析成分检测中心

通过电解冶炼过程得到的普通铝锭的纯度一般在99%以上，普通的铝锭再经过偏析法、三层电解法或联合区域熔炼法可制得高纯铝锭，然后再对高纯铝锭进行锻造、轧制、热处理等，使铝锭内晶粒变细小、致密度增加以满足溅射所需铝靶材的要求。变形处理完成后，再焊接底板，然后对坯料进行机械加工，后对靶材进行表面清洁处理等。铜、钛和钽等靶材的制造工艺除在具体的熔炼方法和加工工艺参数有不同之外，工艺过程基本相同，粉末冶金铸造法是溅射靶材的另一种重要制造工艺，对于钨钛靶这类由两种熔点差别较大的金属组成的合金靶材则会选择粉末烧结工艺，粉末冶金工艺一般选用高纯、超细粉末作为原料。

如烧结气氛、烧结压力等，从而制备成高密度的靶坯，l塑性加工：金属坯锭需经过大幅度的塑性变形。以获得足够的长宽厚度尺寸，并使得内部晶粒进行足够的拉伸变形。从而在内部产生足够多的位错，l热处理：金属坯锭在经过大幅度的塑性变形后。根据不同的材料的特性选择热处理工艺，从而使金属材料发生重结晶去除内应力，l超声探伤：靶坯加工完后需要采用波进行检查材料内部是否有缺陷。靶坯与背板绑定完成后，需要采用水浸式超声波扫描仪进行粘结层的检测，看粘结面积是否达标。l机械加工：靶坯需要进行精密的机械成型加工，用于与靶坯复合使用的背板。

铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。显示器用，平面显示器（FPD)这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场。亦将带动ITO靶材的技术与市场需求，如今的iTO靶材有两种．一种是采用纳米状态的氧化铟和氧化锡粉混合后烧结。一种是采用铟锡合金靶材。铟锡合金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜，但是靶表面会氧化而影响溅射率，并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取种方法生产ITO靶材，利用L}IRF反应溅射镀膜．它具有沉积速度快．且能控制膜厚。

而未米的018um}艺甚至013m工艺。所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上，铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足，导体工艺在025um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路，为了解决以上这些问题。需要在铜与介质层之间设置阻挡层，阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物。因此要求阻挡层厚度小于50nm。与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。

镓是一种低熔点高沸点的稀散金属。有“电子工业脊梁”的美誉。镓的化合物是的半导体材料。被广泛应用到光电子工业和微波通信工业。用于制造微波通讯与微波集成、红外光学与红外探测器件、集成电路、发光二极管等。例如我们在电脑上看到的红光和绿光就是由磷化镓二极管发出的。目前，半导体行业金属镓消费量约占总消费量的80%—85%，镓也被应用到太阳能电池的制造中，如砷化镓三五族太阳能电池，该电池具有良好的耐热、耐辐射等特性。其光电转换率非常高。初因为生产、使用成本都非常高，常常被应用在航天和领域，但近几年随着科技的发展。砷化镓太阳能电池的生产和使用成本都在降低。

高纯碲是化学式为Te，熔点为450℃的单质，性质：纯度在99999%以上的碲，有5N。6N和7N三种规格，灰白色金属光泽的结晶，六方晶格。密度624g/cm3，熔点450℃，沸点989℃。室温下不与氧起作用，加热时能与氢作用生成碲化氢，其显著的性质是用它制成的二元、三元、四元合金具有很好的光电性能及温差电转换性能，以95%～99%纯度的工业碲为原料，采用碱性(或酸性)溶液电解或区域熔炼相结合的方法制取。用于太阳能电池、发光二极管、辐射探测器制造。为半导体掺杂剂，碲(tellurium)是一种准金属，元素符号为Te。