关键词 |
高纯碲杂质分析,杂质分析成分检测中心,株洲杂质分析,高纯碲杂质分析 |
面向地区 |
全国 |
共计15道工序，l粉末冶炼：对原籵粉末进行前期的气氛烧结，对原籵粉末中气体含量进行控制，l粉末混合：靶材有着特的配方，需的控制各组分的含量，并严格限制杂质含量。在粉末冶全的过程中，需要将各元素充分混合均匀。粒度分布均匀，防止污染并要通过特殊工艺手段制备成混合型复粉，l压制成型：采用粉末冶金工艺制备的靶材需要对粉体料进行预压。使之成为中等密度生坯。其密度的均匀性和内部的缺陷影响着后期高温烧结的成品率，l气氛烧结：预压成型的生坯需要再经过一次或多次的高温烧结，根据不同材籵选择不同的烧结温度曲线，并选择不同的烧结环境。
铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。显示器用，平面显示器（FPD)这些年来大幅冲击以阴极射线管(CRT)为主的电脑显示器及电视机市场。亦将带动ITO靶材的技术与市场需求，如今的iTO靶材有两种．一种是采用纳米状态的氧化铟和氧化锡粉混合后烧结。一种是采用铟锡合金靶材。铟锡合金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜，但是靶表面会氧化而影响溅射率，并且不易得到大尺寸的台金靶材。如今一般采取种方法生产ITO靶材，利用L}IRF反应溅射镀膜．它具有沉积速度快．且能控制膜厚。
光纤是光通讯科技与产业的基础，高纯四氯化锗是高品级石英系光纤不可缺少的关键原料。四氯化锗作为石英系光纤中的主要掺杂剂，其用途是提高光纤的折射指数，降低光损耗。进而提高光纤的传输距离，锗在光纤中的分布和含量决定了光纤的关键性能指标。所以其本身的质量直接影响光纤的性能和质量，四氯化锗可由氯化氢来提纯，这个过程可以去除砷和其他类似的杂质，在-30℃到30℃的温度范围内用无水氯气来提纯。但这个方法不能除去含氢杂质，在1000℃高温下四氯化锗中的氢原子被氯气氯化成氯化氢，从而去除含氢杂质。采用沸石来除去气体(包括四氯化锗气体)中的水分子。
全国杂质分析热销信息
