中国绝缘栅双极晶体管（IGBT）现状动态与发展战略分析报告

中国绝缘栅双极晶体管（IGBT）现状动态与发展战略分析报告2021-2026年
【报告编号】: 346694
【出版时间】: 2021年10月
【出版机构】: 中研智业研究院
【交付方式】: EMIL电子版或特快专递
【报告价格】:【纸质版】: 6500元 【电子版】: 6800元 【纸质+电子】: 7000元

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【报告目录】

章 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）行业相关概述
第二章 2019-2021年功率半导体产业发展综合分析
2.1 2019-2021年全球功率半导体发展分析
2.1.1 发展驱动因素
2.1.2 市场发展规模
2.1.3 细分市场占比
2.1.4 企业竞争格局
2.1.5 应用领域状况
2.1.6 厂商扩产情况
2.2 2019-2021年中国功率半导体发展分析
2.2.1 行业发展特点
2.2.2 市场发展规模
2.2.3 市场竞争格局
2.2.4 支持基金分布
2.2.5 企业研发状况
2.2.6 下游应用状况
2.3 功率半导体行业项目投资案例
2.3.1 项目基本概况
2.3.2 项目投资计划
2.3.3 项目投资必要性
2.3.4 项目投资可行性
2.4 功率半导体产业发展困境及建议
2.4.1 行业发展困境
2.4.2 行业发展建议
第三章 2019-2021年IGBT行业发展环境分析
3.1 政策环境
3.1.1 行业监管主体部门
3.1.2 行业相关政策汇总
3.1.3 产业目录引导发展
3.1.4 集成电路税收政策
3.1.5 新能源汽车政策推动
3.2 经济环境
3.2.1 世界经济形势分析
3.2.2 国内宏观经济概况
3.2.3 工业经济运行状况
3.2.4 未来经济发展走势
3.3 社会环境
3.3.1 居民收入水平
3.3.2 居民消费结构
3.3.3 社会消费规模
第四章 2019-2021年IGBT行业发展综合分析
4.1 2019-2021年全球IGBT行业发展分析
4.1.1 行业发展历程
4.1.2 市场发展规模
4.1.3 市场竞争格局
4.1.4 下游应用占比
4.2 2019-2021年中国IGBT行业发展分析
4.2.1 需求驱动因素
4.2.2 市场发展规模
4.2.3 市场竞争格局
4.2.4 企业技术布局
4.2.5 应用领域分布
4.3 IGBT行业商业模式分析
4.3.1 无工厂芯片供应商（Fabless）模式
4.3.2 代工厂（Foundry）模式
4.3.3 集成器件制造（IDM）模式
4.4 IGBT产业链发展分析
4.4.1 产业链条结构
4.4.2 产业核心环节
4.4.3 上游领域分析
4.4.4 下游领域分析
第五章 2019-2021年IGBT技术研发状况
5.1 IGBT技术进展及挑战分析
5.1.1 封装技术分析
5.1.2 车用技术要求
5.1.3 技术发展挑战
5.2 车规级IGBT芯片技术发展分析
5.2.1 大电流密度和低损耗技术
5.2.2 高压/高温技术
5.2.3 智能集成技术
5.3 车规级IGBT模块封装技术
5.3.1 芯片表面互连技术
5.3.2 贴片互连技术
5.3.3 端子引出技术
5.3.4 散热设计技术
5.4 车规级IGBT的技术挑战与解决方案
5.4.1 主要技术挑战
5.4.2 技术解决方案
第六章 2019-2021年IGBT行业上游材料及设备发展综合分析
6.1 2019-2021年IGBT行业上游材料发展分析——硅晶圆
6.1.1 营收发展规模
6.1.2 行业产能状况
6.1.3 产能分布趋势
6.1.4 出货面积情况
6.1.5 需求结构分析
6.2 2019-2021年IGBT行业上游材料发展分析——光刻胶
6.2.1 行业基本概述
6.2.2 产品基本类型
6.2.3 市场发展规模
6.2.4 市场竞争格局
6.2.5 细分市场格局
6.2.6 行业发展趋势
6.3 2019-2021年IGBT行业上游设备发展分析——光刻机
6.3.1 技术迭代状况
6.3.2 市场发展规模
6.3.3 市场竞争格局
6.3.4 细分市场格局
6.3.5 产品结构状况
6.4 2019-2021年IGBT行业上游设备发展分析——刻蚀设备
6.4.1 刻蚀需求特点
6.4.2 市场发展规模
6.4.3 市场竞争格局
6.4.4 国内企业发展
第七章 2019-2021年IGBT行业下游应用领域发展综合分析
7.1 2019-2021年新能源汽车领域发展分析
7.1.1 汽车产销状况
7.1.2 充电桩保有量
7.1.3 应用场景分析
7.1.4 成本构成分析
7.1.5 市场竞争格局
7.1.6 市场规模预测
7.2 2019-2021年新能源发电领域发展分析
7.2.1 应用场景分析
7.2.2 应用需求特点
7.2.3 风电新增装机量
7.2.4 光伏新增装机量
7.2.5 市场竞争格局
7.2.6 市场规模预测
7.3 2019-2021年工业控制领域发展分析
7.3.1 市场发展规模
7.3.2 应用场景分析
7.3.3 市场竞争格局
7.3.4 市场规模预测
7.3.5 未来发展展望
7.4 2019-2021年变频家电领域发展分析
7.4.1 应用优势分析
7.4.2 变频家电销量
7.4.3 市场竞争格局
7.4.4 应用前景展望
7.5 2019-2021年其他应用领域发展分析
7.5.1 轨道交通领域
7.5.2 特高压输电领域
第八章 2019-2021年IGBT行业国外企业经营分析
8.1 英飞凌（Infineon）
8.1.1 企业发展概况
8.1.2 2018年企业经营状况分析
8.1.3 2019年企业经营状况分析
8.1.4 2020年企业经营状况分析
8.2 安森美（ON Semiconductor）
8.2.1 企业发展概况
8.2.2 2018年企业经营状况分析
8.2.3 2019年企业经营状况分析
8.2.4 2020年企业经营状况分析
8.3 东芝（Toshiba Corporation）
8.3.1 企业发展概况
8.3.2 2018年企业经营状况分析
8.3.3 2019年企业经营状况分析
8.3.4 2020年企业经营状况分析
8.4 三菱电机
8.4.1 企业发展概况（Mitsubishi Electric）
8.4.2 2018年企业经营状况分析
8.4.3 2019年企业经营状况分析
8.4.4 2020年企业经营状况分析
第九章 2017-2020年IGBT行业国内企业经营分析
9.1 比亚迪股份有限公司
9.1.1 企业发展概况
9.1.2 经营效益分析
9.1.3 业务经营分析
9.1.4 财务状况分析
9.1.5 核心竞争力分析
9.1.6 公司发展战略
9.1.7 未来前景展望
9.2 吉林华微电子股份有限公司
9.2.1 企业发展概况
9.2.2 经营效益分析
9.2.3 业务经营分析
9.2.4 财务状况分析
9.2.5 核心竞争力分析
9.2.6 公司发展战略
9.2.7 未来前景展望
9.3 杭州士兰微电子股份有限公司
9.3.1 企业发展概况
9.3.2 经营效益分析
9.3.3 业务经营分析
9.3.4 财务状况分析
9.3.5 核心竞争力分析
9.3.6 公司发展战略
9.3.7 未来前景展望
9.4 天津中环半导体股份有限公司
9.4.1 企业发展概况
9.4.2 经营效益分析
9.4.3 业务经营分析
9.4.4 财务状况分析
9.4.5 核心竞争力分析
9.4.6 公司发展战略
9.4.7 未来前景展望
9.5 株洲中车时代电气股份有限公司
9.5.1 企业发展概况
9.5.2 2018年企业经营状况分析
9.5.3 2019年企业经营状况分析
9.5.4 2020年企业经营状况分析
第十章 IGBT行业投资分析及风险提示
10.1 IGBT行业投资机遇分析
10.1.1 契合政策发展机遇
10.1.2 国产替代发展机遇
10.1.3 能效标准规定机遇
10.2 IGBT行业投资项目动态
10.2.1 赛晶亚太IGBT项目落地
10.2.2 比亚迪IGBT项目启动建设
10.2.3 台芯科技IGBT模块项目
10.2.4 英飞凌无锡IGBT生产项目
10.3 IGBT行业投资壁垒分析
10.3.1 技术壁垒
10.3.2 品牌壁垒
10.3.3 资金壁垒
10.3.4 人才壁垒
10.4 IGBT行业投资风险预警
10.4.1 产品研发风险
10.4.2 技术泄密风险
10.4.3 市场竞争加剧风险
10.4.4 宏观经济波动风险
10.4.5 利润水平变动风险
第十一章 2021-2026年中国IGBT行业发展前景趋势预测
11.1 IGBT行业发展趋势分析
11.1.1 行业发展方向
11.1.2 企业发展趋势
11.2  2021-2026年中国IGBT行业预测分析
11.2.1 2021-2026年中国IGBT行业影响因素分析
11.2.2 2021-2026年全球IGBT市场规模预测
11.2.3 2021-2026年中国IGBT市场规模预测
图表目录
图表 功率半导体多种分类及特点
图表 功率半导体器件性能对比
图表 功率半导体应用范围
图表 IGBT的结构图示
图表 IGBT的基本分类（根据电压等级划分）
图表 IGBT的产品类别
图表 IGBT单管、模块和IPM技术特性比较
图表 功率半导体行业发展的主要驱动因素
图表 2014-2021年全球功率半导体市场规模及预测
图表 2019年全球功率半导体细分市场规模占比
图表 2019年全球功率器件主要厂商市场份额
图表 2019年全球功率半导体应用领域市场占比