遂宁高纯氧化铝杂质分析成分检测中心,纯度鉴定

2陶瓷靶材。ITO靶、AZO靶、氧化镁靶、氧化铁靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化钛靶、氧化铬靶、氧化锌靶、硫化锌靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化铈靶、二氧化锆靶、五氧化二铌靶、二氧化钛靶、二氧化锆靶。铌酸锂靶、钛酸镨靶、钛酸钡靶、钛酸镧靶、氧化镍靶等陶瓷溅射靶材，3合金靶材。镍铬合金靶、镍钒合金靶、铝硅合金靶、镍铜合金靶、钛铝合金、镍钒合金靶、硼铁合金靶、硅铁合金靶等高纯度合金溅射靶材，在靶材制造的过程中，需要经历粉末冶炼、粉末屁合、压制成型、气氛烧结、塑性加工、热处理、超声探伤、机械加工、水切割、机械加工、金属化、绑定、超声测试、超声清冼、栓验出货。

具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的层复合膜结构，TbFeCo/AI结构的Kerr旋转角达到58。而TbFeCofFa则可以接近08。经过研究发现。低磁导率的靶材高交流局部放电电压l抗电强度，基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)显示出显著的商业化潜力,是NOR型闪存和部分DRAM市场的一项替代性存储器技术。不过,在实现更快速地按比例缩小的道路上存在的挑战之一,便是缺乏能够生产可进一步调低复位电流的完全密闭单元，降低复位电流可降低存储器的耗电量,延长电池寿命和提高数据带宽,这对于当前以数据为中心的、高度便携式的消费设备来说都是很重要的特征。

接近纯的ITO薄膜的电阻率，FPD和导电玻璃的尺寸都相当火，导电玻璃的宽度甚至可以达到3133_，为了提高靶材的利用率，开发了不同形状的ITO靶材，如圆柱形等，2000年，国家发展员会、科学技术部在《当前发展的信息产业领域指南》中，ITO大型靶材也列入其中，存储用，在储存技术方面，高密度、大容量硬盘的发展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘需要的TbFeCo合金靶材还在进一步发展，用它制造的磁光盘具有存储容量大，寿命长。可反复无接触擦写的特点，如今开发出来的磁光盘。

而未米的018um}艺甚至013m工艺。所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上，铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足，导体工艺在025um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路，为了解决以上这些问题。需要在铜与介质层之间设置阻挡层，阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物。因此要求阻挡层厚度小于50nm。与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。

[1]。发展众所周知。靶材材料的技术发展趋势与下游应用产业的薄膜技术发展趋势息息相关，随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进，靶材技术也应随之变化，如Ic制造商．近段时间致力于低电阻率铜布线的开发。预计未来几年将大幅度取代原来的铝膜。这样铜靶及其所需阻挡层靶材的开发将刻不容缓。另外，近年来平面显示器（FPD）大幅度取代原以阴极射线管（CRT）为主的电脑显示器及电视机市场．亦将大幅增加ITO靶材的技术与市场需求。此外在存储技术方面，高密度、大容量硬盘，高密度的可擦写光盘的需求持续增加．这些均导致应用产业对靶材的需求发生变化。

因此铋就成了替代铅的材料，5、蓄电池：在铅酸蓄电池中加入0015％～003％的铋。可以使蓄电池在充放电等性能上均有大的改善和提高，国外蓄电池发展的国家已将其作为发展方向加以实施和推广。6、高纯超细氧化铋：高纯超细氧化铋应用于制造新型陶瓷和半导体。还可用于颜料、涂料的制备和铋基氧化物超导体的研制和开发。7、温差半导体材料：温差材料可以应用在太阳能温差发电元件和温差制冷元件。铋的某些金属化合物如(Bi，Sb)2(Te，Se)3等，特别是以Bi2Te3为基础的固溶体合金，是目前公认的好的半导体制冷材料。